Teknologi penyejukan ruang wap ultra nipis untuk penyejukan elektronik berkuasa tinggi
Perkembangan teknologi elektronik telah banyak menggalakkan pengecilan dan penyepaduan berprestasi tinggi peranti elektronik, tetapi sebaliknya telah membawa kepada peningkatan haba buangan daripada cip elektronik, dan cabaran pengurusan haba peranti elektronik berkuasa tinggi semakin meningkat secara beransur-ansur. Vapor Chamber (VC) digunakan secara meluas sebagai peranti pelesapan haba dalam peranti elektronik seperti telefon pintar, komputer riba, dan komunikasi. Ia menggunakan haba pendam pengewapan cecair kerja untuk membawa pergi sejumlah besar haba, manakala daya penggerak kapilari struktur kapilari dalaman memastikan peredaran cecair kerja. Sebagai peranti pelesapan haba dua fasa, VC sentiasa dikaji secara meluas dalam penyelidikan saintifik dan pasaran.
Ruang wap ultra nipis (UTVC) terdiri daripada plat penyejat, plat pemeluwap dan teras kapilari, dengan ketebalan 0.5mm. Teras kapilari mempunyai bentuk yang serupa dengan bunga matahari, dengan ketebalan 1mm, dan terdiri daripada teras dalam dan teras luar. Teras dalam diperbuat daripada jaring tembaga dengan diameter luar 35mm dan 300 mesh, yang terdiri daripada 18 limpahan gas dan saluran refluks cecair, serta teras kapilari dengan diameter dalam 15mm. Teras luar merujuk kepada teras dalam dan diperbuat daripada teras kapilari saluran dengan diameter luar 70mm. Bentuk struktur kapilari dilengkapkan dengan proses pemotongan wayar dan pemotongan laser.
Teras kapilari berlapis kecerunan jejari mempunyai saluran rongga selang sebagai saluran limpahan gas, saluran kapilari sebagai saluran untuk refluks cecair, teras dalaman mesh tembaga halus boleh memberikan daya kapilari untuk refluks cecair, dan teras luar yang kasar. mesh tembaga boleh mengurangkan rintangan refluks cecair dan meningkatkan kebolehtelapan. Teras dalam dan luar teras kapilari berlapis kecerunan jejari dipotong dan disinter pada plat penyejat. Plat penyejat dan pemeluwap dikimpal resapan untuk menyambung teras kapilari ke pemeluwap, sambil juga menyokong rongga dalaman. Kimpalan frekuensi tinggi digunakan untuk mengimpal tiub suntikan, dan akhirnya, melalui proses pengurangan, pam vakum dan suntikan cecair dijalankan. Keseluruhan proses sudah sangat matang dalam proses sokongan paip haba.
Analisis perbandingan prestasi terma antara UTVC dan plat kuprum dengan saiz geometri yang sama telah dijalankan, menerangkan perubahan dalam suhu sumber haba dan rintangan haba di bawah penggunaan kuasa yang berbeza. Berbanding dengan plat tembaga, UTVC mempunyai prestasi pemindahan haba yang lebih tinggi dan pengagihan suhu yang lebih seragam dalam julat penggunaan kuasa ujian, terutamanya dalam penggunaan kuasa tinggi. Qmax UTCC ialah 420W (187.6W/cm2), rintangan haba minimum ialah 0.0531 darjah /W (360W), dan rintangan haba dikurangkan sebanyak 59.2%. Lebih banyak digunakan dalam bidang penyejukan elektronik berkuasa tinggi.
