Inovasi Teknologi Transistor: Teknologi baru dapat meningkatkan kapasiti penyejukan lebih dari dua kali!

Dengan peningkatan kecil peranti semikonduktor, isu -isu seperti peningkatan ketumpatan kuasa dan penjanaan haba telah muncul, yang boleh menjejaskan prestasi, kebolehpercayaan, dan jangka hayat peranti ini. Gallium Nitride (GAN) pada Diamond mempamerkan prospek yang menjanjikan sebagai bahan semikonduktor generasi akan datang, kerana kedua -dua bahan mempunyai bandgap yang luas yang membolehkan kekonduksian yang tinggi dan kekonduksian terma yang tinggi berlian, meletakkannya sebagai substrat pelesapan haba yang sangat baik.
Menurut laporan, sebuah pasukan penyelidikan di Universiti Metropolitan Osaka telah menggunakan Diamond, bahan semulajadi yang paling termal di bumi, sebagai substrat untuk membuat transistor Gallium Nitride (GAN), yang mempunyai lebih dari dua kali ganda kapasiti pelesapan haba transistor tradisional. Dalam penyelidikan terkini, saintis dari Osaka Public University telah berjaya mengeluarkan transistor mobiliti elektron GAN High menggunakan Diamond sebagai substrat. Prestasi pelesapan haba teknologi baru ini lebih daripada dua kali ganda daripada transistor yang sama berbentuk yang dihasilkan pada substrat silikon karbida (sic). Dengan ketara mengurangkan rintangan haba antara muka dan meningkatkan prestasi pelesapan haba.